Уникальный новый материал может увеличить вычислительную мощность и объем памяти, потребляя значительно меньше энергии

Команда из Университета Миннесоты впервые успешно синтезировала тонкий слой особого топологического полуметалла, который может обеспечить большую вычислительную мощность и объем памяти при значительно меньшем потреблении энергии.

Результаты исследования были опубликованы в журнале Nature Communications . Учитывая растущий спрос на полупроводниковое производство, как указано в недавно принятом Законе CHIPS and Science Act США, появление новых материалов для электронных устройств является приоритетом. Топологические полуметаллы, класс квантовых материалов, показывают уникальные свойства, которые отсутствуют у обычных изоляторов и металлов, применяемых в электронике.

Ключевым моментом исследования было использование магнитных добавок для перехода от слабого топологического изолятора к топологическому полуметаллу. Как отметил Jian-Ping Wang, один из старших авторов статьи, это может способствовать увеличению срока службы устройств и снижению потребления энергии.

Андре Мхоян, еще один старший автор статьи, подчеркивает значимость этого направления исследований для снижения энергопотребления в повседневной электронике, которая окружает нас.

Особенность данного материала заключается в его реакции на магнитное поле. В отличие от большинства материалов, сопротивление этого топологического полуметалла уменьшается при воздействии магнитного поля.

Это исследование стало возможным благодаря совместным усилиям специалистов из разных дисциплин. Оно получило поддержку от SMART, одного из семи центров nCORE, и частично финансировалось Университетом Миннесоты и Национальным институтом стандартов и технологий (NIST).