UltraRAM: тысячелетнее хранение данных становится реальностью

Компаниея QuInAs Technology создана на базе физического факультета Университета Ланкастера с целью дальнейшего развития и коммерциализации UltraRAM. На этой неделе впервые были представлены реальные чипы памяти UltraRAM в лаборатории университета.

Эта потенциально революционная технология предназначена для сочетания неизменности флеш-памяти с скоростью, превосходящей DRAM. Память сохраняет данные даже после отключения питания, и, по утверждению компании, обладает выносливостью, превосходящей NAND в 4,000 раз, и может хранить данные более 1000 лет. Кроме того она имеет задержку в 1/10 от DRAM и быть более энергоэффективной, что привлекло внимание таких гигантов индустрии, как Meta.

Основной технологией за UltraRAM является структура с тройным барьером резонансного туннелирования (TBRT), которая играет роль аналогичную оксидному слою флеш-памяти NAND, но, по мнению команды из Университета Ланкастера, может обеспечивать хранение данных более 1000 лет.

Два ключевых события укрепили уверенность QuInAs в коммерческом успехе UltraRAM. Во-первых, на Flash Memory Summit в августе UltraRAM получил награду за "Самый инновационный стартап в области флеш-памяти". Во-вторых, QuInAs получил значительное финансирование от Innovate UK, что подтверждает коммерческую жизнеспособность продукта.