GAA (Gate-All-Around) — это новое поколение транзисторной архитектуры, которое представляет собой эволюцию классического FinFET-транзистора. В традиционных транзисторах затвор (или «gate») находится только с одной стороны канала. В GAA затвор окружает канал со всех сторон, что позволяет лучше контролировать ток через канал.
Преимущества GAA включают в себя лучшее энергопотребление, повышенную эффективность, а также возможность создавать транзисторы меньшего размера. Это делает их очень привлекательными для производителей микросхем, которые стремятся увеличивать плотность интеграции элементов и повышать производительность приборов при сниженном энергопотреблении.